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數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)試卷
數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)大家經(jīng)過(guò)一個(gè)學(xué)期的學(xué)期是否已經(jīng)學(xué)會(huì)了呢?大家了解多少呢?下面是小編整理的數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)試卷，歡迎大家閱讀參考。
一、填空題：（每空1分，共16分）
1．邏輯函數(shù)有四種表示方法，它們分別是（）、（）、（）和（）。
2．將2004個(gè)“1”異或起來(lái)得到的結(jié)果是（）。
3．目前我們所學(xué)的雙極型集成電路和單極型集成電路的典型電路分別是（）電路和（）電路。
4．施密特觸發(fā)器有（）個(gè)穩(wěn)定狀態(tài).，多諧振蕩器有（）個(gè)穩(wěn)定狀態(tài)。5．已知Intel2114是1K* 4位的RAM集成電路芯片，它有地址線（）條，數(shù)據(jù)線（）條。
6．已知被轉(zhuǎn)換的信號(hào)的上限截止頻率為10kHz，則A/D轉(zhuǎn)換器的采樣頻率應(yīng)高于（）kHz；完成一次轉(zhuǎn)換所用的時(shí)間應(yīng)小于（）。
7．GAL器件的全稱是（），與PAL相比，它的輸出電路是通過(guò)編程設(shè)定其（）的工作模式來(lái)實(shí)現(xiàn)的，而且由于采用了（）的工藝結(jié)構(gòu)，可以重復(fù)編程，使用更為方便靈活。
二、根據(jù)要求作題：（共16分）
1．試畫出用反相器和集電極開路與非門實(shí)現(xiàn)邏輯函數(shù)
2、圖1、2中電路由TTL門電路構(gòu)成，圖3由CMOS門電路構(gòu)成，試分別寫出F1、F2、F3的表達(dá)式。
三、已知電路及輸入波形如圖4（a）（b）所示，其中FF1是D鎖存器，F(xiàn)F2是維持-阻塞D觸發(fā)器，根據(jù)CP和D的輸入波形畫出Q1和Q2的輸出波形。設(shè)觸發(fā)器的初始狀態(tài)均為0。（8分）
四、分析圖5所示電路，寫出Z1、Z2的邏輯表達(dá)式，列出真值表，說(shuō)明電路的邏輯功能。（10分）
五、設(shè)計(jì)一位8421BCD碼的判奇電路，當(dāng)輸入碼為奇數(shù)時(shí)，輸出為1，否則為0。要求使用兩種方法實(shí)現(xiàn)：
�。�1）用最簡(jiǎn)與非門實(shí)現(xiàn)，畫出邏輯電路圖；
（2）用一片8選1數(shù)據(jù)選擇器74LS151加若干門電路實(shí)現(xiàn)，畫出電路圖。（20分）
六、電路如圖7所示，其中RA=RB=10kΩ,C=0.1μf，試問：
1．在Uk為高電平期間，由555定時(shí)器構(gòu)成的是什么電路，其輸出U0的頻率f0=?
2．分析由JK觸發(fā)器FF1、FF2、FF3構(gòu)成的計(jì)數(shù)器電路，要求：寫出驅(qū)動(dòng)方程和狀態(tài)方程，畫出完整的狀態(tài)轉(zhuǎn)換圖；
2．設(shè)Q3、Q2、Q1的初態(tài)為000，Uk所加正脈沖的寬度為Tw=5/f0，脈沖過(guò)后Q3、Q2、Q1將保持在哪個(gè)狀態(tài)？（共15分）
七、集成4位二進(jìn)制加法計(jì)數(shù)器74161的連接圖如圖8所示，LD是預(yù)置控制端；D0、D1、D2、D3是預(yù)置數(shù)據(jù)輸入端；Q3、Q2、Q1、Q0是觸發(fā)器的輸出端，Q0是最低位，Q3是最高位；LD為低電平時(shí)電路開始置數(shù)，LD為高電平時(shí)電路計(jì)數(shù)。試分析電路的功能。要求：
（1）列出狀態(tài)轉(zhuǎn)換表；
�。�2）檢驗(yàn)自啟動(dòng)能力；
（3）說(shuō)明計(jì)數(shù)模值。（15分）
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